ASEMI可控硅整流桥作用是什么？检测方法有哪些？

可控硅整流桥作用和质量好坏的判别可以从四个方面进行。第一是三个PN结应完好;第二是当阴极和阳极间电压反向连接时能够阻断，不导通;第三是当控制极开路时，阳极和阴极间的电压正向连接时也不导通;第四是给控制极加上正向电流，给阴极和阳极加正向电压时，可控硅应当导通，把控制极电流去掉，仍处于导通状态。

用万用表的欧姆挡测量可控硅的极间电阻，就可对前三个方面的好坏进行判断。具体方法是:用R×1k或R×10k挡测阴极和阳极之间的正反向电阻(控制极不接电压)，此两个阻值均应很大。电阻值越大，表明正反向漏电电流愈小。如果测得的阻值很低，或近于无*穷大，说明可控硅已经击穿短路或已经开路，此可控硅不能使用了。

用R×1k或R×10k挡测阳极和控制极之间的电阻，正反向测量阻值均应几百千欧以上。

用R×1k或R×100挡，测控制极和阴极之间的PN结的正反向电阻在几千欧左右，如出现正向阻值接近于零值或为无*穷大，表明控制极和阴极之间的PN结已经损坏。反向阻值应很大，但不能为无*穷大。正常情况是反向阻值明显大于正向阻值。

万用表选电阻R×1挡，将黑表笔接阳极，红表笔仍接阴极，此时万用表指针应不动。红表笔接阴极不动，黑表笔在不脱开阳极的同时用表笔尖去瞬间短接控制极，此时万用表电阻挡指针应向右偏转，阻值读数为10欧姆左右。如阳极接黑表笔，阴极接红表笔时，万用表指针发生偏转，说明该单向可控硅已击穿损坏。

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